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BFU768F,115
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メーカー: NXP USA Inc.
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ゲイン: 13.1dB
動作温度: 150°C(TJ)
電力 - 最大: 220mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: -
雑音指数(fあたりの標準dB): 1.1dB @ 2.4GHz
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 70mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 155 @ 10mA、2V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 2.8V
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動作温度: 150°C(TJ)
電力 - 最大: 220mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: -
雑音指数(fあたりの標準dB): 1.1dB @ 2.4GHz
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 70mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 155 @ 10mA、2V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 2.8V
