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BFU710F,115
BFU710F,115
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メーカー: NXP USA Inc.
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認定: -
ゲイン: -
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 136mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 43GHz
雑音指数（fあたりの標準dB）: 0.85dB～1.45dB @ 5.8GHz～12GHz
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 10mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 200 @ 1mA、2V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 2.8V
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グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 136mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 43GHz
雑音指数（fあたりの標準dB）: 0.85dB～1.45dB @ 5.8GHz～12GHz
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 10mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 200 @ 1mA、2V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 2.8V
