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BFU610F,115
BFU610F,115
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メーカー: NXP Semiconductors
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数量
認定: -
ゲイン: 17dB
グレード: -
動作温度: 150°C(TJ)
電力 - 最大: 136mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 15GHz
雑音指数(fあたりの標準dB): 0.9dB~1.7dB @ 1.5GHz~5.8GHz
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 10mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 90 @ 1mA、2V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 5.5V
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ゲイン: 17dB
グレード: -
動作温度: 150°C(TJ)
電力 - 最大: 136mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 15GHz
雑音指数(fあたりの標準dB): 0.9dB~1.7dB @ 1.5GHz~5.8GHz
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 10mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 90 @ 1mA、2V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 5.5V
