ゲイン: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 300mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: PNP
周波数 - トランジション: 4GHz
雑音指数（fあたりの標準dB）: 2.5dB～3dB @ 500MHz～1GHz
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 25mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 20 @ 15mA、10V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 15V