ゲイン: 8dB～13.5dB
動作温度: -
電力 - 最大: 200mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: PNP
周波数 - トランジション: 5GHz
雑音指数（fあたりの標準dB）: 2dB～3.2dB @ 900MHz～1.8GHz
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 25mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 15 @ 15mA、8V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 15V