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BFT25,215
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メーカー: NXP USA Inc.
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ゲイン: -
動作温度: 175°C（TJ）
電力 - 最大: 30mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 2.3GHz
雑音指数（fあたりの標準dB）: 5.5dB @ 500MHz
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 6.5mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 20 @ 1mA、1V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 5V
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動作温度: 175°C（TJ）
電力 - 最大: 30mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 2.3GHz
雑音指数（fあたりの標準dB）: 5.5dB @ 500MHz
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 6.5mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 20 @ 1mA、1V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 5V
