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BFR949L3E6327
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認定: -
ゲイン: 21.5dB
グレード: -
動作温度: 150°C(TJ)
電力 - 最大: 250mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 9GHz
雑音指数(fあたりの標準dB): 1dB~2.5dB @ 1GHz
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 50mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 100 @ 5mA、6V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 10V
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ゲイン: 21.5dB
グレード: -
動作温度: 150°C(TJ)
電力 - 最大: 250mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 9GHz
雑音指数(fあたりの標準dB): 1dB~2.5dB @ 1GHz
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 50mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 100 @ 5mA、6V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 10V
