ゲイン: -
動作温度: 175°C（TJ）
電力 - 最大: 300mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 8GHz
雑音指数（fあたりの標準dB）: 1.3dB～3dB @ 1GHz～2GHz
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 50mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 60 @ 15mA、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 10V