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BFQ149,115
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メーカー: NXP USA Inc.
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ゲイン: -
動作温度: 175°C(TJ)
電力 - 最大: 1W
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: PNP
周波数 - トランジション: 5GHz
雑音指数(fあたりの標準dB): 3.3dB @ 500MHz
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 100mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 20 @ 70mA、10V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 15V
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動作温度: 175°C(TJ)
電力 - 最大: 1W
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: PNP
周波数 - トランジション: 5GHz
雑音指数(fあたりの標準dB): 3.3dB @ 500MHz
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 100mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 20 @ 70mA、10V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 15V
