ゲイン: 22dB
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 250mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 8GHz
雑音指数（fあたりの標準dB）: 0.9dB～1.3dB @ 900MHz～1.8GHz
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 35mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 70 @ 10mA、8V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 12V