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BFG198,115
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メーカー: NXP USA Inc.
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ゲイン: -
動作温度: 175°C(TJ)
電力 - 最大: 1W
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 8GHz
雑音指数(fあたりの標準dB): -
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 100mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 40 @ 50mA、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 10V
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動作温度: 175°C(TJ)
電力 - 最大: 1W
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 8GHz
雑音指数(fあたりの標準dB): -
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 100mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 40 @ 50mA、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 10V
