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BD6563FV-LBE2
BD6563FV-LBE2
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メーカー: ROHM Semiconductor
数量
認定: -
グレード: -
動作温度: -25°C~150°C(TJ)
駆動構成: ローサイド
ドライバ数: 3
入力タイプ: 非反転
電圧 - 供給: 10V~25V
ゲートタイプ: IGBT、MOSFET(Nチャンネル、Pチャンネル)
取り付けタイプ: 面実装
チャンネルタイプ: 独立
論理電圧 - VIL、VIH: -
DigiKeyプログラマブル: 未検証
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): -
電流 - ピーク出力(ソース/シンク): 600mA、600mA
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): -
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グレード: -
動作温度: -25°C~150°C(TJ)
駆動構成: ローサイド
ドライバ数: 3
入力タイプ: 非反転
電圧 - 供給: 10V~25V
ゲートタイプ: IGBT、MOSFET(Nチャンネル、Pチャンネル)
取り付けタイプ: 面実装
チャンネルタイプ: 独立
論理電圧 - VIL、VIH: -
DigiKeyプログラマブル: 未検証
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): -
電流 - ピーク出力(ソース/シンク): 600mA、600mA
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): -
