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BD2320UEFJ-LAE2
BD2320UEFJ-LAE2
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メーカー: ROHM Semiconductor
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~125°C
駆動構成: ハーフブリッジ
ドライバ数: 2
入力タイプ: 非反転
電圧 - 供給: 7.5V~14.5V
ゲートタイプ: MOSFET(Nチャンネル)
取り付けタイプ: 面実装
チャンネルタイプ: 独立
論理電圧 - VIL、VIH: 1.7V、1.5V
DigiKeyプログラマブル: 未検証
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): 8ns、6ns
電流 - ピーク出力(ソース/シンク): 3.5A、4.5A
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): 100 V
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グレード: -
動作温度: -40°C~125°C
駆動構成: ハーフブリッジ
ドライバ数: 2
入力タイプ: 非反転
電圧 - 供給: 7.5V~14.5V
ゲートタイプ: MOSFET(Nチャンネル)
取り付けタイプ: 面実装
チャンネルタイプ: 独立
論理電圧 - VIL、VIH: 1.7V、1.5V
DigiKeyプログラマブル: 未検証
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): 8ns、6ns
電流 - ピーク出力(ソース/シンク): 3.5A、4.5A
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): 100 V
