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BCM847DS/DG/B2 115
BCM847DS/DG/B2 115
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メーカー: NXP Semiconductors
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認定: AEC-Q101
グレード: 自動車
動作温度: 150°C(TJ)
電力 - 最大: 250mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: 2 NPN
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 400mV @ 5mA、100mA
周波数 - トランジション: 250MHz
電流 - コレクタ遮断(最大): 15nA(ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 100mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 200 @ 2mA、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 45V
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グレード: 自動車
動作温度: 150°C(TJ)
電力 - 最大: 250mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: 2 NPN
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 400mV @ 5mA、100mA
周波数 - トランジション: 250MHz
電流 - コレクタ遮断(最大): 15nA(ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 100mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 200 @ 2mA、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 45V
