仕入ランク:A
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BAS16T116
BAS16T116
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メーカー: ROHM Semiconductor
数量
技術: 標準
認定: -
速度: 小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード
グレード: -
取り付けタイプ: 面実装
逆回復時間（trr）: 4 ns
電流 - 平均整流（Io）: 100mA
Vr、F印加時の静電容量: 3.5pF @ 6V、1MHz
動作温度 - ジャンクション: 150°C
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ: 100 nA @ 70 V
電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）: 80 V
電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）: 1.2 V @ 100 mA
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認定: -
速度: 小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード
グレード: -
取り付けタイプ: 面実装
逆回復時間（trr）: 4 ns
電流 - 平均整流（Io）: 100mA
Vr、F印加時の静電容量: 3.5pF @ 6V、1MHz
動作温度 - ジャンクション: 150°C
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ: 100 nA @ 70 V
電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）: 80 V
電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）: 1.2 V @ 100 mA
