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AUIRFP4409
AUIRFP4409
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技術: MOSFET(金属酸化物)
認定: AEC-Q101
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: 自動車
動作温度: -55°C~175°C(TJ)
Vgs(最大): ±20V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸(最大): 341W(Tc)
Id印加時のVgs(th)(最大): 5V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On(最大): 69ミリオーム @ 24A、10V
ドレイン~ソース間電圧(Vdss): 300 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id): 38A(Tc)
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大): 125 nC @ 10 V
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大): 5168 pF @ 50 V
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認定: AEC-Q101
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: 自動車
動作温度: -55°C~175°C(TJ)
Vgs(最大): ±20V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸(最大): 341W(Tc)
Id印加時のVgs(th)(最大): 5V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On(最大): 69ミリオーム @ 24A、10V
ドレイン~ソース間電圧(Vdss): 300 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id): 38A(Tc)
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大): 125 nC @ 10 V
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大): 5168 pF @ 50 V
