ゲイン: 9dB～13dB
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 500mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 8GHz
雑音指数（fあたりの標準dB）: 1.9dB～3.5dB @ 2GHz～4GHz
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 80mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 30 @ 35mA、8V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 12V