ゲイン: 9dB～14.5dB
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 225mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: -
雑音指数（fあたりの標準dB）: 1dB～1.6dB @ 900MHz～2.4GHz
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 50mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 30 @ 5mA、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 12V