ゲイン: 14dB～16dB
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 100mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: -
雑音指数（fあたりの標準dB）: 1.1dB～1.4dB @ 900MHz
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 8mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 70 @ 1mA、2.7V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 5.5V