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ASFC8G31MA-51BIN
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メーカー: Alliance Memory, Inc.
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技術: FLASH - NAND(MLC)
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C
メモリ構成: 8G x 8
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 64GBIT
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 200 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: eMMC_5.1
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C
メモリ構成: 8G x 8
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 64GBIT
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 200 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: eMMC_5.1
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
