技術: FLASH - NAND（SLC）
認定: AEC-Q100
グレード: 自動車
動作温度: -40°C～105°C（TA）
メモリ構成: 512M x 8
電圧 - 供給: 1.7V～1.95V
アクセス時間: 30 ns
メモリサイズ: 8Gビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 45ns、700µs