技術: MOSFET（金属酸化物）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Pチャンネル
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
Vgs（最大）: ±20V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 1.5W（Ta）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 3V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 120ミリオーム @ 4A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 60 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 4A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 25 nC @ 10 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 4.5V、10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 930 pF @ 30 V