技術: FLASH - NAND（SLC）
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C～85°C（TA）
メモリ構成: 512M x 4
電圧 - 供給: 3V～3.6V
アクセス時間: 7.5 ns
メモリサイズ: 4Gビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 120 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: SPI - クワッドI/O
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 700µs