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AS4C8M32MD2A-25BCNTR
AS4C8M32MD2A-25BCNTR
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メーカー: Alliance Memory, Inc.
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数量
技術: SDRAM - モバイルLPDDR2
認定: -
グレード: -
動作温度: -25°C～85°C（TC）
メモリ構成: 8M x 32
電圧 - 供給: 1.14V～1.3V、1.7V～1.95V
アクセス時間: 5.5 ns
メモリサイズ: 256Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 400 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: HSUL_12
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 15ns
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認定: -
グレード: -
動作温度: -25°C～85°C（TC）
メモリ構成: 8M x 32
電圧 - 供給: 1.14V～1.3V、1.7V～1.95V
アクセス時間: 5.5 ns
メモリサイズ: 256Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 400 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: HSUL_12
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 15ns
