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AS1C8M16PL-70BIN
AS1C8M16PL-70BIN
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メーカー: Alliance Memory, Inc.
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数量
技術: PSRAM(擬似SRAM)
認定: -
グレード: -
動作温度: -30°C~85°C(TC)
メモリ構成: 8M x 16
電圧 - 供給: 1.7V~1.95V
アクセス時間: 70 ns
メモリサイズ: 128Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: PSRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
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認定: -
グレード: -
動作温度: -30°C~85°C(TC)
メモリ構成: 8M x 16
電圧 - 供給: 1.7V~1.95V
アクセス時間: 70 ns
メモリサイズ: 128Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: PSRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
