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AS1C512K16PL-70BIN
AS1C512K16PL-70BIN
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メーカー: Alliance Memory, Inc.
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数量
技術: PSRAM（擬似SRAM）
動作温度: -30°C～85°C（TA）
メモリ構成: 512K x 16
電圧 - 供給: 1.7V～1.95V
アクセス時間: 70 ns
メモリサイズ: 8Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: PSRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 70ns
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動作温度: -30°C～85°C（TA）
メモリ構成: 512K x 16
電圧 - 供給: 1.7V～1.95V
アクセス時間: 70 ns
メモリサイズ: 8Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: PSRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 70ns
