技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -40°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 1250W
取り付けタイプ: シャーシマウント
Id印加時のVgs（th）（最大）: 5V @ 10mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 5ミリオーム @ 186A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 200V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 372A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 560nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 28900pF @ 25V