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APTGTQ200DA65T3G
APTGTQ200DA65T3G
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入力: 標準
構成: 昇圧チョッパ
動作温度: -40°C~175°C(TJ)
IGBTタイプ: -
電力 - 最大: 483 W
NTCサーミスタ: あり
取り付けタイプ: シャーシマウント
Vce(on)(最大) @ Vge、Ic: 2.2V @ 15V、200A
入力静電容量(Cies) @ Vce: 12 nF @ 25 V
電流 - コレクタ遮断(最大): 200 µA
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 200 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 650 V
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構成: 昇圧チョッパ
動作温度: -40°C~175°C(TJ)
IGBTタイプ: -
電力 - 最大: 483 W
NTCサーミスタ: あり
取り付けタイプ: シャーシマウント
Vce(on)(最大) @ Vge、Ic: 2.2V @ 15V、200A
入力静電容量(Cies) @ Vce: 12 nF @ 25 V
電流 - コレクタ遮断(最大): 200 µA
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 200 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 650 V