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APTGT100A120D1G
APTGT100A120D1G
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メーカー: Microsemi Corporation
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入力: 標準
構成: ハーフブリッジ
動作温度: -
IGBTタイプ: トレンチ型フィールドストップ
電力 - 最大: 520 W
NTCサーミスタ: なし
取り付けタイプ: シャーシマウント
Vce（on）（最大） @ Vge、Ic: 2.1V @ 15V、100A
入力静電容量（Cies） @ Vce: 7 nF @ 25 V
電流 - コレクタ遮断（最大）: 3 mA
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 150 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 1200 V
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構成: ハーフブリッジ
動作温度: -
IGBTタイプ: トレンチ型フィールドストップ
電力 - 最大: 520 W
NTCサーミスタ: なし
取り付けタイプ: シャーシマウント
Vce（on）（最大） @ Vge、Ic: 2.1V @ 15V、100A
入力静電容量（Cies） @ Vce: 7 nF @ 25 V
電流 - コレクタ遮断（最大）: 3 mA
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 150 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 1200 V
