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APTGF50DDA120T3G
APTGF50DDA120T3G
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メーカー: Microsemi Corporation
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入力: 標準
構成: デュアルブーストチョッパ
動作温度: -
IGBTタイプ: NPT
電力 - 最大: 312 W
NTCサーミスタ: あり
取り付けタイプ: シャーシマウント
Vce（on）（最大） @ Vge、Ic: 3.7V @ 15V、50A
入力静電容量（Cies） @ Vce: 3.45 nF @ 25 V
電流 - コレクタ遮断（最大）: 250 µA
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 70 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 1200 V
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構成: デュアルブーストチョッパ
動作温度: -
IGBTタイプ: NPT
電力 - 最大: 312 W
NTCサーミスタ: あり
取り付けタイプ: シャーシマウント
Vce（on）（最大） @ Vge、Ic: 3.7V @ 15V、50A
入力静電容量（Cies） @ Vce: 3.45 nF @ 25 V
電流 - コレクタ遮断（最大）: 250 µA
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 70 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 1200 V
