技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 2Nチャンネル（デュアルバックチョッパ）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -40°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 462W
取り付けタイプ: シャーシマウント
Id印加時のVgs（th）（最大）: 3.9V @ 5mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 24ミリオーム @ 47.5A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 600V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 95A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 300nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 14400pF @ 25V