技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 2N-チャンネル（デュアル）非対称
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 3.1W（Ta）、 20W（Tc）、 3.2W（Ta）、 69W（Tc）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1.9V @ 250µA、 1.8V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 3.3ミリオーム @ 20A、 10V、 0.8ミリオーム @ 20A、 10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 25V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 25A（Ta）、 62A（Tc）、 50A（Ta）、 85A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 24nC @ 10V、85nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1150pF @ 12.5V、4520pF @ 12.5V