技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 2N-チャンネル（デュアル）非対称
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 4.1W（Ta）、 24W（Tc）、 5W（Ta）、 75W（Tc）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.1V @ 250µA、1.9V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 4.25ミリオーム @ 20A、10V、0.82ミリオーム @ 30A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 22A（Ta）、 22A（Tc）、 60A（Ta）、 85A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 25nC @ 10V、 150nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1070pF @ 15V、 5550pF @ 15V