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AONH36328
AONH36328
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メーカー: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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数量
技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 2N-チャンネル（デュアル）非対称
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 2.5W（Ta）、23W（Tc）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.1V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 8.5ミリオーム @ 20A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 13.8A（Ta）、 18A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 20nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 700pF @ 15V
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構成: 2N-チャンネル（デュアル）非対称
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 2.5W（Ta）、23W（Tc）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.1V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 8.5ミリオーム @ 20A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 13.8A（Ta）、 18A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 20nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 700pF @ 15V
