技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 2N-チャンネル（デュアル）非対称
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 2W（Ta）、 25W（Tc）、 2.5W（Ta）、 35.5W（Tc）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1.8V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 4.6ミリオーム @ 17A、10V、1.4ミリオーム @ 20A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 25V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 17A（Ta）、 60A（Ta）、 34A（Ta）、 60A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 21nC @ 10V、 80nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 880pF @ 12.5V、 3215pF @ 12.5V