技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 2N-チャンネル（デュアル）非対称
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 1.9W（Ta）、22W（Tc）、2.1W（Ta）、30W（Tc）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 13.7ミリオーム @ 10A、10V、7.3ミリオーム @ 20A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 10A（Ta）、34A（Tc）、13.8A（Ta）、52A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 17nC @ 10V、20nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 910pF @ 15V、1300pF @ 15V