技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 2N-チャンネル（デュアル）非対称
認定: -
FET機能: 論理レベルゲート
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 1.9W、 2.1W
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 13.7ミリオーム @ 10A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 10A、13.8A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 17nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 910pF @ 15V