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AON6816
AON6816
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メーカー: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン
認定: -
FET機能: 論理レベルゲート
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 2.8W
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.2V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 6.2ミリオーム @ 16A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 17A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 45nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1540pF @ 15V
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構成: 2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン
認定: -
FET機能: 論理レベルゲート
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 2.8W
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.2V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 6.2ミリオーム @ 16A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 17A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 45nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1540pF @ 15V
