技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 2 Nチャンネル（デュアル）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
電力 - 最大: 6.2W（Ta）、 68W（Tc）、 6.2W（Ta）、 65W（Tc）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.4V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 2.3ミリオーム @ 20A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 40V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 40A（Ta）、 85A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 60nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 3350pF @ 20V