技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネルコンプリメンタリ
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 19W（Tc）、30W（Tc）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.6V @ 250µA、2.4V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 25ミリオーム @ 8A、10V、27ミリオーム @ 12A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 8A（Tc）、12A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 7nC @ 4.5V、12nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 395pF @ 15V、730pF @ 15V