技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネルコンプリメンタリ
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
電力 - 最大: 25W（Tc）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA、2.4V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 25ミリオーム @ 12A、10V、37ミリオーム @ 12A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 12A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 12.5nC @ 4.5V、11.7nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1250pF @ 15V、1100pF @ 15V