技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネルコンプリメンタリ
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 1.25W（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1.5V @ 250µA、1V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 60ミリオーム @ 3.4A、10V、75ミリオーム @ 3.3A、4.5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V、20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 3.4A（Ta）、3.3A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 3nC @ 4.5V、10nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 235pF @ 15V、510pF @ 10V