技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネル
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 1.15W
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1.4V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 60ミリオーム @ 3A、 10V、 135ミリオーム @ 2.3A、 10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 3.4A（Ta）、 2.3A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 4.34nC @ 4.5V、 4.8nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 390pF @ 15V、 409pF @ 15V