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AMR009V075H2
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メーカー: Luminus Devices Inc.
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技術: SiCFET（炭化ケイ素）
認定: AEC-Q101
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: 自動車
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
Vgs（最大）: +22V、-10V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸（最大）: 500W（Ta）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 4.2V @ 20mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 12ミリオーム @ 80A、18V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 750 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 172A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 218 nC @ 18 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 15V、18V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 5107 pF @ 700 V
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認定: AEC-Q101
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: 自動車
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
Vgs（最大）: +22V、-10V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸（最大）: 500W（Ta）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 4.2V @ 20mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 12ミリオーム @ 80A、18V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 750 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 172A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 218 nC @ 18 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 15V、18V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 5107 pF @ 700 V
