技術: MOSFET（金属酸化物）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Pチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
Vgs（最大）: ±8V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 340mW（Ta）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 400mV @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 150ミリオーム @ 1.3A、4.5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 20 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 1.3A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 3.7 nC @ 4.5 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 2.5V、4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 216 pF @ 15 V