技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネルコンプリメンタリ
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: 0°C～70°C（TJ）
電力 - 最大: 500mW
取り付けタイプ: スルーホール
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1V @ 1µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 1800オーム @ 5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 10.6V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: -
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 3pF @ 5V