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ALD110902SAL
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メーカー: Advanced Linear Devices Inc.
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技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 2Nチャンネル（デュアル）整合ペア
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: 0°C～70°C（TJ）
電力 - 最大: 500mW
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 220mV @ 1µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 500オーム @ 4.2V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 10.6V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: -
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 2.5pF @ 5V
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構成: 2Nチャンネル（デュアル）整合ペア
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: 0°C～70°C（TJ）
電力 - 最大: 500mW
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 220mV @ 1µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 500オーム @ 4.2V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 10.6V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: -
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 2.5pF @ 5V
