技術: SiCFET（炭化ケイ素）
認定: AEC-Q101
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: 自動車
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
Vgs（最大）: +23V、-5V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸（最大）: 197W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 5.1V @ 4.3mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 75ミリオーム @ 13A、20V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 38A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 32 nC @ 20 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 18V、20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 880 pF @ 800 V