技術: SiCFET（炭化ケイ素）
認定: AEC-Q101
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: 自動車
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
Vgs（最大）: +23V、-5V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 326W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 5.6V @ 12.2mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 18ミリオーム @ 34.1A、20V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 750 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 81A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 70 nC @ 18 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 15V、20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 2326 pF @ 500 V