技術: NMOS
特長: ブートストラップ回路
用途: DCモータ、ソレノイド
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ（2）
動作温度: -40°C～150°C（TA）
負荷タイプ: 誘導性、容量性、抵抗性
電圧 - 供給: 5.5V～50V
電圧 - 負荷: 6V～50V
Rds On（標準）: 2.4オーム LS、8オーム HS
フォールト保護: 電流制限、過温度、シュートスルー、短絡回路
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: SPI
電流 - ピーク出力: -
電流 - 出力/チャンネル: -